一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层N型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；进行表面制绒；进行氢处理；进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的PN结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成制作流程。本发明中进行退火处理，有利于钝化晶界和提升少子寿命，将体硅中晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，并进行氢处理，利用H原子进一步修复晶格缺陷，提高后续的钝化水平。
基本信息
专利标题 ：
一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388638A
申请号 ：
CN202011131573.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许志
申请人 ：
福建新峰二维材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011131573.X
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/074 H01L31/18
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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