一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法

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摘要

本发明提出一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法，属于神经形态计算中突触硬件技术领域。该方法采用铁电晶体管FeFET和PMOS构成突触电路；FeFET实现突触的可塑性和记忆特性，FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，源端偏置为抑制电压，漏端连接于PMOS的漏端，作为突触电压输出端；PMOS的源端作为前级神经元的脉冲输入端，栅端偏置在固定电源电压；当前级神经元传递电压输出时，PMOS和FeFET沟道电阻分压产生突触的兴奋型或抑制型的电压输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销，具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的神经网络的硬件实现。

基本信息

专利标题：

一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112381217A

申请号：

CN202011228618.5

公开（公告）日：

2021-02-19

申请日：

2020-11-06

授权号：

CN112381217B

授权日：

2022-05-20

发明人：

黄如罗金刘天翊黄芊芊

申请人：

北京大学

申请人地址：

北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司

代理人：

贾晓玲

优先权：

CN202011228618.5

主分类号：

G06N3/063

IPC分类号：

G06N3/063