接触电阻的测试方法与装置
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种接触电阻的测试方法与装置，用于测试MOS晶体管的接触电阻；上述方法包括：获取接触电阻的单位面积电阻值与电阻温度系数，根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数以及接触电阻的面积，确定接触电阻的目标电阻值。即本申请实施例所提供的接触电阻的测试方法，在测试过程中能够根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，进而提升MOS晶体管的测量精确度。
基本信息
专利标题 ：
接触电阻的测试方法与装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460368A
申请号 ：
CN202011241123.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨海洋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202011241123.6
主分类号 ：
G01R27/02
IPC分类号 ：
G01R27/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/02
申请日 : 20201109
申请日 : 20201109
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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