内存装置及其初始化方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种内存装置及其初始化方法。初始化方法包括对内存装置进行上电操作，以对内存阵列提供内部电压；以及在内部电压稳定之后，对所有的存储单元进行刷新操作。
基本信息
专利标题 ：
内存装置及其初始化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464233A
申请号 ：
CN202011248421.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张昆辉
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202011248421.8
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/08 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20201110
申请日 : 20201110
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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