MRAM存内计算电路及其控制方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种MRAM存内计算电路及其控制方法，所述MRAM存内计算电路，包括：存储与调控模块，用于存储和调控写入状态；参考与调控模块，用于调控逻辑运算；比较模块，连接所述存储与调控模块和所述参考与调控模块，在所述存储与调控模块的写入过程中，采集所述存储与调控模块和所述参考与调控模块的数据并比较，获得逻辑运算的结果。本申请技术方案的MRAM存内计算电路可以进行不同的逻辑运算。
基本信息
专利标题 ：
MRAM存内计算电路及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496011A
申请号 ：
CN202011250722.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘明月周永亮张梦迪王韬
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区兴华道19号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011250722.4
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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