压电陶瓷芯片的制备方法、压电陶瓷芯片组件及显示装置
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种压电陶瓷芯片的制备方法、压电陶瓷芯片组件及显示装置。制备方法包括:将在衬底上形成的压电陶瓷层和覆盖压电陶瓷层的底电极转移至一基板,在基板上形成具有开口的绝缘层,以使绝缘层能够覆盖压电陶瓷层和底电极的边缘,且开口能够暴露出压电陶瓷层;将基板浸入在底电极材料的刻蚀液内进行刻蚀;在绝缘层的开口内形成顶电极,使顶电极与绝缘层之间具有间隔。本发明制备方法对于绑定压电陶瓷层失败的芯片可以确保其不发生短路,避免损伤芯片,绑定成功的芯片能够形成完整的芯片结构,确保实现良好的触觉再现技术。

基本信息
专利标题 :
压电陶瓷芯片的制备方法、压电陶瓷芯片组件及显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114520287A
申请号 :
CN202011296362.1
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2020-11-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈右儒
申请人 :
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
王辉
优先权 :
CN202011296362.1
主分类号 :
H01L41/27
IPC分类号 :
H01L41/27  H01L41/29  H01L41/31  H01L41/113  H01L27/20  G06F3/01  G06F3/041  
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/27
申请日 : 20201118
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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