一种高硅梯度硅钢薄带及其制备方法
授权
摘要
本发明的一种高硅梯度硅钢薄带及其制备方法，薄带包括组分及质量百分含量为C 0.001～0.08％、Si 4.5～6.5％，余量为Fe及不可避免杂质，厚度为0.1～0.35mm，宽度≤1000mm，磁感应强度(B8)/T 1.25‑1.56，铁损P10/400 5.1‑12W/kg，强度470‑720MPa，延展率2.5‑10％。制备时，取硅钢薄带原料经表面处理，依次经过特定温度的预热，还原操作后，进行第一阶段渗硅处理，退火后进行第二阶段渗硅与退火处理，并以特定冷速冷却至室温，制得高硅梯度硅钢薄带。该工艺使用极薄低硅钢薄带为初始原料，避免了高硅钢轧制过程脆性开裂，且能够制备出表面和心部Si含量一致或Si含量逐步降低的高硅浓度梯度薄带产品，制备的硅钢薄带具有优异的整体性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高硅梯度硅钢薄带及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112410672A
申请号 ：
CN202011296623.X
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
CN112410672B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
李成刚曹光明刘振宇
申请人 ：
东北大学
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
代理机构 ：
沈阳东大知识产权代理有限公司
代理人 ：
宁佳
优先权 ：
CN202011296623.X
主分类号 ：
C22C38/02
IPC分类号 ：
C22C38/02 C21D8/12 C23C10/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C38/00
铁基合金，例如合金钢
C22C38/02
含硅的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22C 38/02
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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