表面电磁模式共振高光谱成像传感器的共振波长确定方法
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摘要

一种表面电磁模式共振高光谱成像传感器的共振波长确定方法,包括以下步骤:利用高光谱成像仪分别测量宽带光源的发射光谱原始曲线和表面电磁模式共振结构的共振光谱原始曲线;将发射光谱原始曲线转换为发射光谱辐射度曲线,将共振光谱原始曲线转换为共振光谱辐射度曲线,共振光谱辐射度曲线包括共振吸收曲线段和非共振曲线段;以发射光谱辐射度曲线为拟合模型,对共振光谱辐射度曲线中的非共振曲线段进行整体拟合,得到传感器在无共振吸收时的辐射度最佳拟合曲线;将共振光谱辐射度曲线除以辐射度最佳拟合曲线得到反射率光谱曲线;对反射率光谱曲线中的共振吸收谷进行拟合确定共振波长。本发明能够准确计算共振波长,提高了传感器品质因素。

基本信息
专利标题 :
表面电磁模式共振高光谱成像传感器的共振波长确定方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112525862A
申请号 :
CN202011305508.4
公开(公告)日 :
2021-03-19
申请日 :
2020-11-20
授权号 :
CN112525862B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
祁志美刘紫威尹涛蔡宸蔡新霞
申请人 :
中国科学院空天信息创新研究院;中国科学院大学
申请人地址 :
北京市海淀区北四环西路19号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
王江选
优先权 :
CN202011305508.4
主分类号 :
G01N21/552
IPC分类号 :
G01N21/552  G01N21/25  G01J3/28  G01J3/42  G01J3/10  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/55
镜面反射率
G01N21/552
衰减全反射
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-04-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/552
申请日 : 20201120
2021-03-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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