一种提高计算平面边界面电荷密度精度的方法
公开
摘要
本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域，具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种提高边界积分方程和随机混合法求解导体或介质平面边界面电荷密度的精度的方法。本方法以边界上待求点为球心构造一个半球体，与区域边界相交为一个平面圆盘，应用球面Green函数的第二类边界积分方程进行求解，将待求点处的面电荷密度转化为由半球面和平面圆盘构成的封闭曲面上的积分。本发明属一种局部性解法，可高精度计算局部边界上的面电荷密度，无需对互连线和介质边界表面进行离散；并具有随机法天然并行性的优势，易于实现大规模并行计算。
基本信息
专利标题 ：
一种提高计算平面边界面电荷密度精度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114519314A
申请号 ：
CN202011312648.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严昌浩曾璇蔡伟
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴桂琴
优先权 ：
CN202011312648.4
主分类号 ：
G06F30/32
IPC分类号 ：
G06F30/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/32
数字电路设计
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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