一种电磁流量传感器的磁路结构优化设计方法
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摘要

本发明涉及一种电磁流量传感器的磁路结构优化设计方法。包括以下步骤:根据传感器实体样机,构建传感器初始有限元仿真模型;设计影响因素水平表,采用中心组合设计(CCD)方法设计试验方案并对试验方案仿真求解;根据设计变量输入和对应求解的响应值输出,构造优化所需的各响应的响应面目标函数;采用遗传算法对响应面目标函数非线性多目标优化,得到最优磁路结构参数;根据最优的磁路结构参数进行三维建模和有限元仿真求解,验证优化效果。本发明可以在系统功耗不变、动态特性一定的限制下,进行传感器磁路结构的综合优化设计,从而提高传感器测量精度、提高研发效率、降低生产成本,有利于实现传感器磁路结构的正向开发。

基本信息
专利标题 :
一种电磁流量传感器的磁路结构优化设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112504365A
申请号 :
CN202011340360.8
公开(公告)日 :
2021-03-16
申请日 :
2020-11-25
授权号 :
CN112504365B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
梁利平齐飞燕葛玉石秦晓文柴玲宾王鸣黄云志杨双龙徐科军魏坤
申请人 :
合肥工业大学
申请人地址 :
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 :
合肥金安专利事务所(普通合伙企业)
代理人 :
彭超
优先权 :
CN202011340360.8
主分类号 :
G01F1/58
IPC分类号 :
G01F1/58  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01F
容积、流量、质量流量或液位的测量;按容积进行测量
G01F1/00
测量连续通过仪表的流体或流动固体材料的流量或质量流量
G01F1/56
应用电或磁效应
G01F1/58
应用电磁流量计
法律状态
2022-05-20 :
授权
2021-04-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01F 1/58
申请日 : 20201125
2021-03-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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