本发明公开了一种基于双稳态结构的磁控转印印章及转印方法，该印章是二维结构，包括制备有空腔阵列的印章主体、双稳态结构磁性薄膜和设于双稳态结构磁性薄膜底部的粘附块；转印方法为：1)拾取时，将印章按压在元件/基底上，利用印章/元件界面的粘性将元件从施主基底上拾取；2)印刷时，在外加磁场的持续作用下，印章上的双稳态结构磁性薄膜变形向下跳跃，对元件产生冲击力和变形挤压力，使元件脱离印章，印刷到受主基底上。印章结构简单且成本低廉；响应速度快；能在常温和真空环境下实现非接触转印；具有更强的拾取和印刷性能；该方法通过改变磁场的作用范围，既能实现高效的全局转印，也能实现精准的图案化转印。