一种具有金刚石涂层的密封环及其加工方法
公开
摘要
本发明公开了一种具有金刚石涂层的密封环及其加工方法，包括基体和金刚石涂层，所述基体表面设有金刚石涂层，金刚石涂层的厚度在5μm‑8μm之间；基体为硬质合金材料，强度高，耐腐蚀性好；基体表面设有大量的沟槽凹坑，且沟槽凹坑表面附着有硼化物层，沟槽凹坑的宽度和深度均不等，沟槽凹坑的深度应当小于3μm，硼化物层表面的高度差应当小于或者等于1微米；本发明获得的金刚石薄膜涂层表面的金刚石呈球状晶体，表面均匀连续，成核密度高，表面粗糙度小，强度高，耐腐蚀性好，密封环的表面粗糙度低；可以提高实用寿命，减少密封环的更换频率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有金刚石涂层的密封环及其加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574957A
申请号 ：
CN202011381839.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金莲忠
申请人 ：
嘉善天宇新材料有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县罗星街道银秀路2号2幢101室
代理机构 ：
上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
代理人 ：
俞磊
优先权 ：
CN202011381839.6
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B25/18 C30B28/14 C30B29/04 C30B29/60 C23C8/68 F16J15/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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