钴颗粒均匀分布的长有垂直石墨烯的碳布及其制法和应用
授权
摘要
本发明提供了一种钴颗粒均匀分布的长有垂直石墨烯的碳布及其制法和应用。制备方法包括：通过PECVD反应，在碳布上生长垂直石墨烯，得到第一碳布；将2‑甲基咪唑和硝酸钴分别均匀分散于水中，得到第一溶液；将第一碳布加入到第一溶液中混合搅拌，反应4h‑5h生长Co‑MOF，清洗、干燥得到第二碳布；将第二碳布在氩气保护下进行退火处理，得到钴颗粒均匀分布的长有垂直石墨烯的碳布。由本发明的钴颗粒均匀分布的长有垂直石墨烯的碳布组装的钠离子全电池可以实现良好的电化学性能。
基本信息
专利标题 ：
钴颗粒均匀分布的长有垂直石墨烯的碳布及其制法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112652749A
申请号 ：
CN202011529275.6
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2020-12-22
授权号 ：
CN112652749B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
孙靖宇卢晨
申请人 ：
苏州大学张家港工业技术研究院;苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇长泾路10号
代理机构 ：
苏州根号专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
仇波
优先权 ：
CN202011529275.6
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/583 H01M10/054
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20201222
申请日 : 20201222
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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