一种二次掺杂硅基负极材料及其制备方法
授权
摘要
本申请提供一种二次掺杂硅基负极材料及其制备方法，其中所述二次掺杂硅基负极材料包括：内核，所述内核包括硅、硅氧化物、第一金属元素的硅酸盐及第二金属元素的硅酸盐，其中所述硅氧化物的通式为SiOx，0＜x＜2，所述第一金属元素的活性低于所述第二金属元素的活性；碳包覆层，包覆在所述内核的表面。本申请技术方案的二次掺杂硅基负极材料及其制备方法，能够提高二次电池的首次库伦效率和容量保持率。
基本信息
专利标题 ：
一种二次掺杂硅基负极材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112751011A
申请号 ：
CN202011610862.8
公开（公告）日 ：
2021-05-04
申请日 ：
2020-12-30
授权号 ：
CN112751011B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
吴玉虎马飞魏良勤李宇飞刘冬冬陈星凯
申请人 ：
上海杉杉科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金海路3158号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011610862.8
主分类号 ：
H01M4/38
IPC分类号 ：
H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/38
申请日 : 20201230
申请日 : 20201230
2021-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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