一种双层引向空间耦合超宽带辐射单元
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摘要
一种双层引向空间耦合超宽带辐射单元，包括一个PCB宽带辐射单元，一个金属寄生引向器和一个PCB引向片，PCB宽带辐射单元、金属寄生引向器和PCB引向片的中心线重合；金属寄生引向器设置在辐射单元上方；PCB引向片设置在PCB宽带辐射单元的上方或者下方，PCB引向片的上表面上设有按极化方向对称设置的四个第一加载贴片，四个第一加载贴片还按PCB引向片的中心对称。常规单元达到30‑50%的带宽已经属于宽带，但在增加双层引向器后，辐射单元通过空间耦合，产生了一个新的辐射体，带宽在原基础上扩展了10%‑20%，形成了一个超宽带的辐射单元。
基本信息
专利标题 ：
一种双层引向空间耦合超宽带辐射单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020008555.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-03
授权号 ：
CN211455945U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
岳彩龙韦图双赵伟
申请人 ：
广东通宇通讯股份有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区东镇东二路1号
代理机构 ：
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋晨炜
优先权 ：
CN202020008555.1
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 H01Q1/50
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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