一种新型高消光比单轴工作隔离器
授权
摘要
本实用新型涉及通讯配件的结构技术领域，尤其公开了一种新型高消光比单轴工作隔离器；包括第一折射晶体、第二折射晶体以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体和第二折射晶体为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体和第二折射晶体相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管，所述磁管形成磁场。本实用新型的隔离器，利用隔离器本身的的光学晶体特性，将原来的磁场方向进行倒置，将输出光的两束偏振态进行拉大分开角度，不让其进行有效平行；或者在两束平行光后设置单偏振晶体，精确接收其中一路偏振态的光线，可以极大提高消光比。
基本信息
专利标题 ：
一种新型高消光比单轴工作隔离器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020025154.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-07
授权号 ：
CN211123362U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
董鸿卫章玲丽陈进董松
申请人 ：
中山市鸿鑫通讯技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区建业路32号A区厂房四层之六
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020025154.7
主分类号 ：
G02B6/27
IPC分类号 ：
G02B6/27
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/26
光耦合装置
G02B6/27
带有偏振选择和调节装置
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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