一种提高MOS管驱动可靠性电路
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及一种提高MOS管驱动可靠性电路,包括驱动芯片,驱动芯片的VCC引脚连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极,电容C2的负极接地,电阻R1的另一端连接有电容C1的正极,电容C1的负极接地;驱动芯片的ZCD引脚连接有电阻R2的一端,MOS管的源极连接有电阻RS的一端,电阻RS的另一端接地;驱动芯片的CS引脚连接在所述电阻RS与MOS管之间;驱动芯片的VFB引脚连接在电阻RF1与电阻RF2之间。本实用新型可在不同频率下为MOS管提供自适应的工作条件。

基本信息
专利标题 :
一种提高MOS管驱动可靠性电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020073322.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-14
授权号 :
CN211018789U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
姚佳庆鄂凌松
申请人 :
北京金晟达生物电子科技有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区科技园区创新路27号2号楼2层(昌平示范区)
代理机构 :
北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
田磊
优先权 :
CN202020073322.X
主分类号 :
H03K17/687
IPC分类号 :
H03K17/687  
法律状态
2020-08-21 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H03K 17/687
登记生效日 : 20200804
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京金晟达生物电子科技有限公司
变更后权利人 : 安徽金晟达生物电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 102200 北京市昌平区科技园区创新路27号2号楼2层(昌平示范区)
变更后权利人 : 安徽省马鞍山市经济技术开发区阳湖路398号富马智赢科技园1栋研发楼
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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