抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。所述抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈，通过将第一亥姆霍兹线圈固定安装在第二亥姆霍兹线圈中，且两者的几何中心和轴线重合设置，并且两者反向串联，且展开面积相等，当受到远端磁场的波动干扰而分别产生感应时，第一亥姆霍兹线圈的感应与第二亥姆霍兹线圈的感应可以直接抵消，从而使外部磁场的波动不再对积分有贡献，从而隔离了远端磁场的波动干扰，从而可以使用到更恶劣的环境中，并且相较于现有亥姆霍兹线圈连接磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时准确度也更高。
基本信息
专利标题 ：
抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020077090.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN211698150U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
朱永红
申请人 ：
湖南省永逸科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省娄底市湘阳东街与迎春路交汇处新合作国际商贸城10楼
代理机构 ：
长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘宏
优先权 ：
CN202020077090.5
主分类号 ：
G01R33/12
IPC分类号 ：
G01R33/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/12
测量物品的磁性或者固体或流体样品的磁性
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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