一种低温度系数CMOS基准电压源
授权
摘要
本实用新型公开了一种低温度系数CMOS基准电压源，包括启动电路A、基于VBE的基准电压产生电路B、输出电路C、基于VGS的基准电压产生电路D。其中，启动电路与基准源电流镜电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源脱离简并点；基于VBE的基准电压产生电路产生基于三极管基级‑发射极电压的一阶基准电压；基于VGS的基准电压产生电路产生基于晶体管栅源电压的一阶基准电压。本实用新型通过双基准电压的加权互补，有效抵消了非线性温度项，降低了温度系数，提高了基准源的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种低温度系数CMOS基准电压源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020078261.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN211087041U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
薛冬英薛乐平
申请人 ：
阿母芯微电子技术（中山）有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1309-1号房
代理机构 ：
濮阳华凯知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王传明
优先权 ：
CN202020078261.6
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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