一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该实用新型的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020151018.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-03
授权号 ：
CN211045463U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
周浩曹冰王钦华
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区济学路8号
代理机构 ：
苏州智品专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王利斌
优先权 ：
CN202020151018.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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