一种微型热电器件
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及半导体器件领域,具体为一种微型热电器件。该热电器件包括底部基板、顶部基板和热电单元,热电单元位于底部基板和顶部基板之间,底部基板通过其上的电极层和焊接涂层与热电单元的底部连接,顶部基板通过其上的电极层和焊接涂层与热电单元的顶部连接。利用掩膜沉积技术在底部基板和顶部基板上沉积图案化的电极层和焊接涂层,将热电单元模板、N型或P型热电片依次叠于底部基板上,利用汇聚飞秒激光对其切割,使N型或P型热电单元落入模板上的定位孔洞内,与焊接涂层接触;盖上顶部基板,通过加热实现热电器件的电连通。该热电器件将模板法和飞秒激光微纳精准加工技术相结合,可以实现高集成密度的微型热电器件。

基本信息
专利标题 :
一种微型热电器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020174986.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-17
授权号 :
CN211529977U
授权日 :
2020-09-18
发明人 :
邰凯平赵洋
申请人 :
中国科学院金属研究所
申请人地址 :
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 :
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张志伟
优先权 :
CN202020174986.5
主分类号 :
H01L35/04
IPC分类号 :
H01L35/04  H01L35/32  H01L35/34  
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法律状态
2021-11-19 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 35/04
登记生效日 : 20211109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院金属研究所
变更后权利人 : 辽宁冷芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
变更后权利人 : 110168 辽宁省沈阳市浑南区浑南东路15-3号8B栋
2020-09-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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