一种耐冲击晶片电阻器
授权
摘要
本实用新型公开了一种耐冲击晶片电阻器，包括基板和设置在所述基板上的电阻层，所述基板具有上表面，该上表面上具有第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均与所述电阻层搭接；所述基板为片状长条，所述第一电极和第二电极均为导电片，所述第一电极和第二电极以所述基板上表面的长边方向的中心线为轴，对称设置在所述基板的上表面。本实用新型所述的晶片电阻器不需经过激光修整精度，且只需印一层电阻层，相比现有技术中的晶片电阻器其具有优良的耐冲击性能，和较短的产品生产周期。
基本信息
专利标题 ：
一种耐冲击晶片电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020201757.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-24
授权号 ：
CN211150225U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
陈智高蔡东谋简高柏
申请人 ：
国巨电子（中国）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市新区竹园路10号
代理机构 ：
苏州简理知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨瑞玲
优先权 ：
CN202020201757.8
主分类号 ：
H01C17/00
IPC分类号 ：
H01C17/00 H01C17/22 H01C17/28 H01C7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C17/00
制造电阻器的专用设备或方法
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
