一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构，包括金属谐振腔、金属腔与介质腔耦合窗口和介质谐振腔，金属谐振腔、介质谐振腔和金属腔与介质腔耦合窗口均设置于壳体内，所述金属谐振腔包括金属谐振腔A、金属谐振腔B和金属谐振腔C，金属腔与介质腔耦合窗口包括金属腔与介质腔耦合窗口A、金属腔与介质腔耦合窗口B和金属腔与介质腔耦合窗口C，介质谐振腔包括介质谐振腔A、介质谐振腔B和介质谐振腔C。本实用新型功率容量大，Q值高，电性能稳定，同轴介质谐振器不容易与金属接触面出现打火烧坏现象，银质耦合件连接也可以承受大功率的射频信号通过。生产过程简单，便于操作，有效提高生产效率，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020223130.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN212011205U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王炳权陈习希骆艳
申请人 ：
广东雄脉通信技术有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市长安镇上沙社区中南中路84号博业工业园厂房F
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
李盛洪
优先权 ：
CN202020223130.2
主分类号 ：
H01P1/208
IPC分类号 ：
H01P1/208
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
