介质谐振器弱负耦合结构
授权
摘要
本实用新型提供了介质谐振器弱负耦合结构，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性；其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，所述耦合结构包括隔槽、负耦合阶梯孔槽，所述隔槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述隔槽自所述连接处的一侧伸入，沿着所述介质谐振器之间的中心连线的垂直方向延伸至所述连接处的另一侧，且与所述连接处另一侧侧壁之间留有间距，所述负耦合阶梯孔槽设置于所述隔槽与所述连接处另一侧侧壁之间，所述负耦合阶梯孔槽自所述连接处上表面向下延伸，且与所述连接处底面之间留有间距。
基本信息
专利标题 ：
介质谐振器弱负耦合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922210946.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211125937U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
蔡辉梁宇栋刘中华吕家泉
申请人 ：
江苏亨鑫科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶都路138号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
杜丹盛
优先权 ：
CN201922210946.1
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20 H01P7/10
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
