用于MOCVD的MO源瓶串行供源装置
授权
摘要
本实用新型揭示了一种用于MOCVD的MO源瓶串行供源装置，与常规MO源罐阀组单元面板相匹配，面板上设置有载气进气端母头及载气出气端母头，装置包括两组相互连通的管路组件，每组管路组件中均包括一个隔膜阀、两个连接母头以及一个连接公头，其中一组管路组件中的连接公头与载气进气端母头相连接，另一组管路组件中的连接公头与载气出气端母头相连接，每组管路组件中的两个连接母头均与一MO源瓶管路连接。本实用新型可直接安装于现有设备上，无需对原MO源罐阀组单元面板做任何改动，更换和安装过程十分便捷其快速，在最大限度上为设备的安装调试提供了便利、保障了整体的氮化镓外延片制备效率。
基本信息
专利标题 ：
用于MOCVD的MO源瓶串行供源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020224657.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN212741580U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
刘银南琦
申请人 ：
木昇半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
姚姣阳
优先权 ：
CN202020224657.7
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B28/14 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
