DFN产品通用型加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种DFN产品通用型加热装置，包括主体，主体上表面设有面板凹槽，面板凹槽中设有吸附面板，吸附面板与主体为分体结构，吸附面板表面布满吸附孔，吸附面板内部设有串联通道，吸附孔通过串联通道相互连通；主体相对的两个侧面分别设有限位槽，主体的其他一个侧面设有负压通道，负压通道与串联通道连通。本实用新型可以更换吸附面板，根据不同的半导体产品选择相应的吸附面板，以此达到更好的吸附效果，适用范围广，有效缩短交付周期、提高生产效率、降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
DFN产品通用型加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020251289.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211182166U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
种利孙林华
申请人 ：
江苏爱矽半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园A9、A10号厂房
代理机构 ：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈俊杰
优先权 ：
CN202020251289.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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