静电释放结构及电子设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种静电释放结构及电子设备。所述静电释放结构包括形成在两个导体之间的静电释放口，所述两个导体间隔设置，并且其中至少一个导体上还电性结合有至少一碳纳米管纤维，所述碳纳米管纤维一端对应所述静电释放口设置。本实用新型利用碳纳米管纤维中碳纳米管的尖端效应使静电更容易释放，碳纳米管纤维中碳纳米管的尖端效应显著，使得高电场集中在一个微小的区域(纳米级)内,从而使得气体导电所需的工作电压大幅度下降，以提高对静电的释放能力，进而实现对各种对静电危害敏感的产品进行保护。
基本信息
专利标题 ：
静电释放结构及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020255665.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN211406401U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
邸江涛庞志纯李清文
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202020255665.8
主分类号 ：
H05F3/00
IPC分类号 ：
H05F3/00
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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