一种优化气体流场的石墨基座
授权
摘要
本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。
基本信息
专利标题 ：
一种优化气体流场的石墨基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020258722.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN211629063U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
黄洪福朱佰喜
申请人 ：
深圳市志橙半导体材料有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道潭头社区健仓科技研发厂区办公楼307
代理机构 ：
深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗志伟
优先权 ：
CN202020258722.8
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 C23C16/54
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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