一种石墨基座
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摘要
本实用新型公开了一种石墨基座，包括基座本体，所述基座本体的上端面设置有多个载台，所述载台凸出于基座本体，所述基座本体的上端面在载台的外侧设置有多个限位块，多个限位块沿着载台外圆周均匀布置，所述限位块的高度大于载台的高度，所述限位块内壁与硅片的外壁接触。本实用新型实现了尽可能减少硅片装取时与石墨基座的接触面积，且便于硅片的取放。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020747685.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN212077198U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
王作义康宏雒林生卞小玉韩立琼
申请人 ：
四川广瑞半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐邦英
优先权 ：
CN202020747685.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B23/02 C30B29/06 H01L21/673 H01L21/687
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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