基座
授权
摘要

本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座,所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体,所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面,所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域,所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱,所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱,其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。

基本信息
专利标题 :
基座
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922311864.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-20
授权号 :
CN211045385U
授权日 :
2020-07-17
发明人 :
V·S·C·帕里米Z·黄J·李S·拉达克里什南程睿D·N·凯德拉亚J·C·罗查U·M·科尔卡K·杰纳基拉曼S·M·博贝克P·K·库尔施拉希萨V·K·普拉巴卡尔B·S·权
申请人 :
应用材料公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
侯颖媖
优先权 :
CN201922311864.6
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/687  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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