一种Micro-LED用石墨基座加工方法
公开
摘要
本发明提供了一种Micro‑LED用石墨基座加工方法，包括：石墨基座以及与石墨基座转动连接的石墨盘；石墨基座上周向设置有外圈口袋、内圈口袋；石墨基座上环向间隔设置有与多个外圈口袋位于同一轴线的外圈滑槽以及与多个内圈口袋位于同一轴线的内圈滑槽；外圈滑槽内部滑动设置有用于封堵外圈口袋的开口的第一阻挡块，内圈滑槽内部滑动设置有用于封堵内圈口袋的开口的第二阻挡块，且多个第一阻挡块以及多个第二阻挡块均固定装配在石墨盘上。本发明中，通过石墨盘在顺时针旋转过程中，使对应的阻挡块封堵口袋，并使石墨基座进行旋转；在石墨盘逆时针旋转过程中，对应的阻挡块脱落封堵口袋，使开口外露，便于工作人员进行清理。
基本信息
专利标题 ：
一种Micro-LED用石墨基座加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622276A
申请号 ：
CN202011461282.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪洋
申请人 ：
湖南德智新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011461282.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B29/36 C23C16/458 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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