一种用于衬底基片的高纯度石墨基座
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摘要

本实用新型公开了一种用于衬底基片的高纯度石墨基座,包括石墨基座本体、置物槽、定型环以及卡接块,所述石墨基座本体中心处贯穿设有穿孔,围绕穿孔外侧均匀排列有若干个置物槽,置物槽位于石墨基座本体的上表面,所述置物槽内侧壁安装有与其相匹配的定型环,本实用新型在使用石墨基座本体时,通过设置的定型环,可根据不同规格的衬底基片设置有内环直径不同的定型环,与相应的衬底基片配合使用,有利于人们放置不同规格的衬底基片,对衬底基片进行固定,避免石墨基座本体移动时,衬底基片滑出置物槽,使用定型环时,将其放置在置物槽中,同时将卡接块插入卡接槽中,进行固定定型环。

基本信息
专利标题 :
一种用于衬底基片的高纯度石墨基座
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922119348.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-27
授权号 :
CN211256151U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
余波郑方渊张华冯晓倩
申请人 :
上海弘竣新能源材料有限公司
申请人地址 :
上海市青浦区华新镇华腾路1288号1幢4层I区438室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201922119348.3
主分类号 :
C30B25/12
IPC分类号 :
C30B25/12  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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