一种石墨盘及其配套衬底
授权
摘要
本实用新型属于发光半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘及其配套衬底，石墨盘包括多个用于放置衬底的晶圆凹槽，衬底的侧面设置有卡槽，晶圆凹槽的顶部周边设置有上层组件，上层组件底部的至少一侧位于晶圆凹槽的侧壁，上层组件上设有用于固定衬底的侧向组件，侧向组件为可伸缩结构，侧向组件嵌于衬底的卡槽内。本实用新型降低了离心力对衬底的影响，使得衬底在生长时无法翘起，或翘起时角度较小，不会干扰到石墨盘面的气流模型，得到较好均匀性的片源，提高良率。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨盘及其配套衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921220024.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210314481U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
周宏敏唐超王瑜林兓兓张家豪
申请人 ：
安徽三安光电有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921220024.2
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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