一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座
授权
摘要
本实用新型提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘采用可拆卸可安装的方式连接。本实用新型的有益效果是：采用分体式设置，既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率，避免了浪费。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020772018.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-11
授权号 ：
CN212895083U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
林培英黄春立朱佰喜
申请人 ：
东莞市志橙半导体材料有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市桥头镇朗夏村华夏一环路5号V栋
代理机构 ：
深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗志伟
优先权 ：
CN202020772018.4
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B29/40
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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