LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘
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摘要

本实用新型涉及MOCVD设备技术领域,且公开了LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘,包括活动架,所述活动架的内壁固定连接有层板,所述层板的顶部固定连接有隔板,所述隔板顶部的左右两侧均螺纹连接有固定螺丝,所述隔板的内侧固定连接有托架,所述托架的内部固定连接有定位螺母,所述托架的顶部固定连接有立柱,所述立柱的顶部螺纹连接有定位螺丝,所述定位螺丝的外部套接有垫片。该LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘,通过拧紧定位螺母使石墨板固定在托架上,活动架在旋转的时候可以带动石墨盘旋转工作,盖上翻盖使限位块压住石墨盘,防止石墨盘受热形变而出现移动,同时可以避免石墨盘的外部和托架的内壁接触,防止在加热时出现受热不均的情况。

基本信息
专利标题 :
LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920409073.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-03-28
授权号 :
CN209759639U
授权日 :
2019-12-10
发明人 :
马建军
申请人 :
嵊州市西格玛科技有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市嵊州市仙岩镇个体工业集聚区
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
王巍敏
优先权 :
CN201920409073.4
主分类号 :
C30B25/12
IPC分类号 :
C30B25/12  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2019-12-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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