一种防止旋转不平衡的石墨基座
授权
摘要
本实用新型涉气相沉积领域，特别涉及一种防止旋转不平衡的石墨基座。其包括旋转基座、安装槽、与销钉配合连接的卡槽，安装槽设置在旋转基座的中心位置并从旋转基座的上表面向底部延伸，安装槽的外侧周围均匀凸出设置有多个卡槽，卡槽从旋转基座的上表面向底部延伸，卡槽与安装槽连通。本石墨基座解决由于旋转过程中由于石墨基座单边受力，容易引起石墨基座旋转不平衡，从而影响产品生产的稳定性的问题，能有效降低石墨基座旋转不平衡导致产品报废的概率，显著提高薄膜均匀性以及质量，并有效延长石墨基座的使用周期。
基本信息
专利标题 ：
一种防止旋转不平衡的石墨基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020026043.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-07
授权号 ：
CN211570768U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
蓝图黄洪福
申请人 ：
深圳市志橙半导体材料有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道潭头社区健仓科技研发厂区办公楼307
代理机构 ：
深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎健任
优先权 ：
CN202020026043.8
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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