PECVD射频电极通断切换系统及PECVD装置
授权
摘要
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体公开了一种PECVD射频电极通断切换系统，该PECVD射频电极通断切换系统包括静触端、动触端和驱动件，动触端和静触端中的一个与射频电极片连接，另一个与馈入电极连接，动触端具有间隔设置的第一位置和第二位置，驱动件与动触端连接，以驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换。当动触端位于第一位置时，动触端与静触端面接触，此时，射频电极片与馈入电极导通，由于动触端与静触端面接触，因而能够保证动触端和静触端具有较大的接触面积，保证接触良好；当动触端位于第二位置时，动触端与静触端分离，此时，射频电极片与馈入电极断开。
基本信息
专利标题 ：
PECVD射频电极通断切换系统及PECVD装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020276396.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211897107U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
邓必龙郑利勇
申请人 ：
龙鳞（深圳）新材料科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场裙楼202
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
胡彬
优先权 ：
CN202020276396.3
主分类号 ：
C23C16/505
IPC分类号 ：
C23C16/505
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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