PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置
授权
摘要
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域,具体公开了一种PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置,该PECVD射频馈入电极系统包括射频电极片、第一电极、第二电极和两个通断控制组件,第一电极与第二电极的沿延伸方向呈夹角设置;通断控制组件包括静触端、动触端和驱动件,两个静触端均与射频电极片连接,且两个动触端分别与第一电极和第二电极连接,驱动件驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换,可实现动触端与静触端连接或分离,因此通过对两个通断控制组件的动触端与静触端进行控制,无需拆装,即可使射频电极片与不同延伸方向第一电极或第二电极的单独连通,可有效提高工作效率。
基本信息
专利标题 :
PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020276976.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-09
授权号 :
CN211897108U
授权日 :
2020-11-10
发明人 :
邓必龙郑利勇
申请人 :
龙鳞(深圳)新材料科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场裙楼202
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN202020276976.2
主分类号 :
C23C16/505
IPC分类号 :
C23C16/505
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
法律状态
2020-11-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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