一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关
授权
摘要
本实用新型涉及射频微波通信领域，特别涉及一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关。本实用新型的射频抗烧毁保护电路包括第一3dB耦合器、第二3dB耦合器、第一并联单元、第二并联单元、第一匹配负载、第二匹配负载、第一射频电路和第二射频电路。本实用新型的射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关，功率容量大，插入损耗小，隔离度高，驻波性能稳定，且应用灵活，成本较低，具有广阔的应用前景和价值。
基本信息
专利标题 ：
一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020310339.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-13
授权号 ：
CN211089624U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
柳卫天王曾祺陆建华
申请人 ：
上海安其威微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区亮秀路112号y1座508室
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖华
优先权 ：
CN202020310339.2
主分类号 ：
H03K17/10
IPC分类号 ：
H03K17/10
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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