一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料
授权
摘要
本申请公开了一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料，包括基体和位于所述基体表层的生长层；所述生长层为多层结构，其中，包括相间设置的多个第一晶粒层和第二晶粒层；所述第一晶粒层的晶粒大小大于所述第二晶粒层的晶粒大小。本申请提供的CVD金刚石自支撑材料通过相间设置多个晶粒大小不同的晶粒层，使金刚石的断面呈现细晶粒与粗晶粒交错生长的多层结构，通过多层结构阻断裂纹的延伸，从而提高抗冲击性能和抗断裂强度；通过细晶粒填补粗晶粒层的缺陷，而粗晶粒层又能保持材料的耐磨性，从而在不损失耐磨性的基础上提高抗冲击性能和抗断裂强度。
基本信息
专利标题 ：
一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020363052.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-20
授权号 ：
CN212025450U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
李卫
申请人 ：
廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市大厂潮白河工业区
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202020363052.6
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/52 C23C16/01
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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