一种高压PMOS驱动电路
授权
摘要
本实用新型公开一种高压PMOS驱动电路，包括双层式电位平移电路、钳位器和缓冲器，双层式电位平移电路接收低端逻辑信号和钳位器提供的偏置电压，输出高端逻辑电平给缓冲器，缓冲器产生高端驱动电压作为高压PMOS驱动电路的输出，控制高压PMOS管的开通和关断；钳位器的输出端为缓冲器提供负端电压，使缓冲器工作在安全区，并且钳位器为双层式电位平移电路提供偏置电压。在不需要外接电容的情况下，把负载元件、锁存器、缓冲器的电压都控制在安全工作范围，集成度高，成本低。在双层式电位平移电路中的负载元件上产生的电压差是稳定的、可靠的，不易被干扰，可以省去传统技术上所需的锁存器，从而节约成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高压PMOS驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020403488.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-26
授权号 ：
CN211239824U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
唐盛斌
申请人 ：
苏州源特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢524
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020403488.3
主分类号 ：
H03K19/0175
IPC分类号 ：
H03K19/0175 H03K19/003 H03K19/00
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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