一种高速低功耗高压驱动电路
公开
摘要
本发明公开了一种高速低功耗高压驱动电路，包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、反相器驱动电路（X1，X2，X3）、低压NMOS管（N2，N3，N5，N7，N8）、高压NMOS管（N4，N6）、低压PMOS管（P2，P3，P4，P5），电阻（R1，R2，R3）及电容（C1，C2），低压PMOS管P4的源端连接高压NMOS管N4的源端，低压PMOS管P4的漏端连接低压NMOS管N7的漏端，低压PMOS管P5的源端连接高压NMOS管N6的源端，低压PMOS管P5的漏端连接低压NMOS管N8的漏端，本发明电路结构简单，与常用的高压驱动电路相比只增加了非常少的器件，应用成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种高速低功耗高压驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114629492A
申请号 ：
CN202210236072.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭在超张胜罗寅丁国华
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
毕东峰
优先权 ：
CN202210236072.0
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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