一种IGBT测试系统的绝缘测试装置
授权
摘要
本实用新型提出一种IGBT测试系统的绝缘测试装置，设于外壳体内的基板上，且与总控制器相连；绝缘测试装置包括数模转换单元、模数转换单元、控制单元、恒压源以及漏电流采集板，模数转换单元与总控制器以及恒压源连接，控制单元与总控制器以及恒压源连接，数据采集板与总控制器以及待测IGBT模组连接，恒压源与待测IGBT模组连接，总控制器用于为控制单元提供控制指令，恒压源用于为待测IGBT模组进行恒压充电，漏电流采集板用于采集工作的待测IGBT模组的漏电流值数据并传递给总控制器，当进行IGBT测试时，绝缘测试装置与待测IGBT模组相连并提供预设电压，以采集待测IGBT模组在预设电压下的漏电流值并将采集结果传递给所述总控制器；本实用新型可用于IGBT的绝缘测试。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT测试系统的绝缘测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020423683.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN212083594U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
黄道姗林焱吴丹岳黄霆林芳方晓玲杜培张健刘辉山黄宇星
申请人 ：
国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区复园支路48号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭东亮
优先权 ：
CN202020423683.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/12 G01R1/04 G01R1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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