一种IGBT综合测试总成
授权
摘要
本实用新型提出一种IGBT综合测试总成，所述IGBT综合测试总成包括外壳体、基板、总控制器以及设置在基板上的IGBT测试系统；所述总控制器以及所述IGBT测试系统设置在所述外壳体内；所述总控制器与所述IGBT测试系统连接；所述IGBT测试系统还包括多种可连至待测IGBT模组并进行测试的测试装置；所述测试装置包括栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路、饱和导通压降测试电路、栅极漏电流测试电路、正向特性测试电路、绝缘测试装置、电压波形检测装置、过电压保护测试装置、回路接触电阻测试装置；当进行IGBT综合测试时，所述总控制器使与待测IGBT模组连接的测试装置中的一种或多种处于工作状态；本实用新型能对IGBT模组进行多个指标的综合测试。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT综合测试总成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020423727.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN212255562U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
林焱黄道姗吴丹岳黄霆林芳方晓玲杜培张慧瑜张伟骏张健
申请人 ：
国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区复园支路48号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭东亮
优先权 ：
CN202020423727.1
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
