离子注入机的作业平台

授权

摘要

本发明公开了一种离子注入机的作业平台，包括EFEM、两个Loadlock、VTM和PTM，EFEM、Loadlock和VTM沿着第一方向依次排布，两个Loadlock平行地设置于EFEM和VTM之间，PTM在第二方向上与VTM相连，第一方向与第二方向不平行，VTM用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM之间传输硅片；PTM用于在真空中采用离子束对硅片进行加工，所述PTM包括扫描机器人和离子束收集装置，所述离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。由此使得硅片免受沉积于离子束收集装置中污染物的影响。

基本信息

专利标题：

离子注入机的作业平台

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020455344.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-01

授权号：

CN211788912U

授权日：

2020-10-27

发明人：

夏世伟陈炯王占柱杨立军王辉杰夫·贝克洪俊华李轩陈克禄刘志峰

申请人：

上海临港凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区南汇新城镇竹柏路750号207室

代理机构：

上海弼兴律师事务所

代理人：

薛琦

优先权：

CN202020455344.2

主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

H01J37/317