IGBT流体散热器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种IGBT流体散热器件，包括：氮化铝陶瓷散热单元，包括中空管道以及流经所述中空管道的冷却液介质；铜金属焊接层，间隔设置于所述中空管道的外表面；IGBT芯片，通过焊层焊接于所述铜金属焊接层远离所述中空管道的表面；第一引线，焊接于所述IGBT芯片以及所述铜金属焊接层之间；氮化铝导热树脂层，覆盖于所述铜金属焊接层、所述IGBT芯片以及所述第一引线上；封装层，封装于所述氮化铝导热树脂层的外表面；第二引线，其一端焊接于所述铜金属焊接层上，另一端从所述封装层中引出。
基本信息
专利标题 ：
IGBT流体散热器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020460859.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN212033006U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
管军凯秦明礼石磊鲁慧峰何庆王月隆
申请人 ：
厦门钜瓷科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市市头路98号二层C室
代理机构 ：
厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐东峰
优先权 ：
CN202020460859.1
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/473 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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