一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置
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摘要

本实用新型提供了一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置。所述装置包括:依次连接的待测气体罐、气体检测腔室、尾气处理腔室;以及与气体检测腔室连接的测量电路;其中,所述气体检测腔室包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器,以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件。通过紫外光束照射AlGaN/GaN基HEMT气体传感器来提高气体传感器的灵敏度,同时也能降低气体传感器的测量阈值。

基本信息
专利标题 :
一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020461884.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-02
授权号 :
CN211785287U
授权日 :
2020-10-27
发明人 :
孙海定邢宠许磊张昊宸宋康杨磊谢东成刘睿晨薛峰
申请人 :
中国科学技术大学
申请人地址 :
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
周天宇
优先权 :
CN202020461884.1
主分类号 :
G01N27/12
IPC分类号 :
G01N27/12  H01L29/778  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻,依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2020-10-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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