便于后续加工的GaN器件晶圆结构
授权
摘要
本实用新型提供一种便于后续加工的GaN器件晶圆结构，包括GaN器件晶圆，在所述GaN器件晶圆的边缘进行刻蚀到衬底或基板使得所述GaN器件晶圆的功能层的边缘为圆形，在所述衬底或基板上覆盖一圈保护介质，所述保护介质构成边缘刻蚀后的所述GaN器件晶圆的保护环。本实用新型能够有效提高GaN器件晶圆在后续加工成GaN器件的性能可靠性以及良品率。
基本信息
专利标题 ：
便于后续加工的GaN器件晶圆结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020472201.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN211350655U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
刘春利
申请人 ：
深圳镓华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
代理机构 ：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐玲玲
优先权 ：
CN202020472201.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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