一种基于阻容降压电源的可控硅控制电路

授权

摘要

本实用新型涉及一种基于阻容降压电源的可控硅控制电路，包括能将市电中的交流电源转换为第一直流电源(VCC)和第二直流电源(VDD)的阻容降压全波整流电路，及与阻容降压全波整流电路电连接的用于对可控硅(TR1)进行控制的控制电路，其特征在于：所述控制电路包括MCU单片机、二极管(D2)、NPN三极管(Q1)、PNP三极管(Q2)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电路(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)和第十电阻(R10)。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：成本更低，在可控硅数量用得较少的场合上有很大的竞争优势。

基本信息

专利标题：

一种基于阻容降压电源的可控硅控制电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020474081.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-03

授权号：

CN211577707U

授权日：

2020-09-25

发明人：

陈明王红亚

申请人：

浙江卓奥科技股份有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市杭州湾新区庵东镇元祥村工业园区纬二路758号

代理机构：

宁波诚源专利事务所有限公司

代理人：

姚娟英

优先权：

CN202020474081.X

主分类号：

G05B19/042

IPC分类号：

G05B19/042