一种基于钝化接触的太阳能电池片
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摘要
本实用新型公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片法，其制备工艺较为简单。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。
基本信息
专利标题 ：
一种基于钝化接触的太阳能电池片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020490147.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211789034U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
赵保星时宝魏青竹倪志春连维飞符欣
申请人 ：
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李萍
优先权 ：
CN202020490147.4
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/18 H01L31/20
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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